led灯如何发光
作者:路由通
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发布时间:2026-01-16 23:44:08
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发光二极管(发光二极管)的发光原理基于半导体材料的电致发光效应。当正向电压施加于P-N结(P-N结)时,电子与空穴在复合区重新结合,以光子形式释放能量。不同半导体材料决定光的波长,从而实现红、绿、蓝等颜色。白光通过蓝光激发荧光粉或混合多色光生成,具有高效节能、寿命长等优势。
在当代照明技术领域,发光二极管(发光二极管)已成为革命性的光源,其发光机制融合了量子物理学与材料科学的精妙设计。要透彻理解发光二极管如何发光,需从半导体材料特性、能带理论、载流子运动及光子产生过程逐层剖析。以下内容将系统阐述发光二极管的发光原理及相关技术细节。
半导体材料与能带结构 发光二极管的核心是半导体晶体材料,通常由镓(镓)、砷(砷)、磷(磷)、氮(氮)等元素构成的化合物制成,例如氮化镓(氮化镓)或磷化铟镓(磷化铟镓)。半导体区别于导体和绝缘体的关键特征在于其能带结构:价带(价带)充满电子,导带(导带)为空轨道,两者之间存在禁带(禁带)。禁带宽度直接决定器件的发光颜色,能量值越大,产生光子的波长越短。 P-N结的形成与内建电场 通过掺杂工艺,半导体一侧注入施主杂质(如硅中掺磷)形成N型区(富电子),另一侧注入受主杂质(如硅中掺硼)形成P型区(富空穴)。两者结合构成P-N结。接触界面处电子与空穴扩散形成空间电荷区,产生由N指向P的内建电场,阻止载流子进一步扩散,达到动态平衡状态。 正向偏压下的载流子注入 当外部电源正极接P区、负极接N区(正向偏压)时,外电场削弱内建电场,势垒降低。N区的电子获得能量向P区扩散,P区的空穴则反向注入N区。这些跨越结区的电子和空穴成为非平衡少数载流子,为复合发光奠定基础。 电子与空穴的复合机制 注入的电子与空穴在扩散过程中相遇时会发生复合。根据能量守恒定律,电子从高能级(导带)跃迁至低能级(价带)时,能量差以光子形式释放。此过程称为辐射复合(辐射复合),是发光二极管发光的根本机制。若能量以晶格振动(声子)形式释放,则称为非辐射复合,产生热量而非光。 光子能量与波长关系 释放的光子能量E等于半导体禁带宽度E_g,与发光波长λ满足公式λ=1240/E_g(单位:纳米/电子伏特)。例如砷化镓(砷化镓)禁带宽度1.43电子伏特对应红外光,磷化铟镓(磷化铟镓)调整比例可实现红光,氮化铟镓(氮化铟镓)则可发射蓝光。 直接带隙与间接带隙材料 发光效率与半导体能带结构密切相关。直接带隙材料(如砷化镓)中电子跃迁不需动量变化,复合概率高;间接带隙材料(如硅)需声子参与,辐射复合效率极低。因此发光二极管必须采用直接带隙半导体,早期材料开发突破正是基于此原理。 异质结结构提升效率 现代发光二极管采用异质结设计(如铝镓铟磷/磷化镓),通过不同禁带宽度的材料组合限制载流子在特定区域复合,减少泄漏电流。量子阱(量子阱)结构进一步将载流子约束在纳米级薄层内,显著提高复合概率与发光强度。 白光实现技术路径 白光并非单色光,需通过复合方式生成。主流技术包括:蓝光发光二极管激发钇铝石榴石荧光粉(钇铝石榴石)产生黄光,混合成白光;紫外发光二极管激发红/绿/蓝三基色荧光粉;或将红绿蓝三色发光二极管芯片集成,通过调比例合成白光。 荧光粉转换机制 荧光粉材料吸收高能量光子(如蓝光)后,电子跃迁至激发态,返回基态时发射低能量光子(如黄光)。此过程存在斯托克斯位移(斯托克斯位移),部分能量转化为热量。荧光粉的化学稳定性、粒径分布和涂覆工艺直接影响白光发光二极管的色温与显色指数。 衬底与外延生长技术 半导体发光层通常通过金属有机化学气相沉积(金属有机化学气相沉积)技术在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上外延生长。衬底选择需考虑晶格匹配与热膨胀系数匹配,否则会产生位错缺陷,成为非辐射复合中心,降低发光效率。 光学提取优化设计 由于半导体材料折射率高(如氮化镓折射率2.4),大部分光线在内部发生全反射无法射出。通过设计倒金字塔结构、表面粗化、分布式布拉格反射镜(分布式布拉格反射镜)等方案,可将光提取效率从不足20%提升至80%以上。 热管理对光效的影响 结温升高会导致禁带宽度变窄、波长红移,非辐射复合加剧。实验数据显示,结温每升高10℃,亮度衰减约3-5%。因此高性能发光二极管必须配备金属基板、热沉(热沉)或主动冷却系统,确保工作温度低于85℃。 驱动电路与调光控制 发光二极管需恒定电流驱动,避免因正向电压温度系数为负引发热失控。脉宽调制(脉宽调制)调光通过快速开关调节平均亮度,不影响色品;模拟调光则通过改变电流大小实现,但电流过低可能导致颜色偏移。 色彩品质参数体系 发光性能需通过色温(相关色温)、显色指数(显色指数)、色纯度等参数量化。国际照明委员会(国际照明委员会)色度图定义颜色坐标,麦克亚当椭圆(麦克亚当椭圆)表征颜色容差。高品质照明要求显色指数大于80,色温偏差小于5%。 可靠性及寿命表征 发光二极管寿命通常定义为光通量衰减至初始值70%的工作时间。衰减机制包括荧光粉热淬灭、环氧树脂黄化、金线焊点失效等。加速老化测试显示,优质器件在25℃环境下寿命可达5万小时以上。 微观量子效应应用 量子点(量子点)发光二极管采用纳米半导体晶粒,通过尺寸效应调节发光颜色。2纳米量子点发蓝光,6纳米量子点发红光,色域覆盖率可达标准红绿蓝140%。钙钛矿(钙钛矿)材料则展现出高色纯度与低制备成本优势。 技术演进与未来趋势 从1962年通用电气公司推出首颗红光发光二极管至今,发光效率已从0.1流明/瓦提升至300流明/瓦以上。微缩化微型发光二极管(微型发光二极管)与柔性可弯曲发光二极管成为下一代显示技术核心,量子效率突破90%的理论极限仍是科研重点。 综上所述,发光二极管发光是载流子在半导体结区内辐射复合的物理过程,涉及材料科学、光学、热力学等多学科交叉。其技术发展持续推动照明、显示、通信等领域的创新变革,成为现代科技不可或缺的光电转换枢纽。
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